Samsung SSD 9100 PRO with Heatsink PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD – 1 TB

Samsung 9100 PRO with Heatsink PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD – 1 TB

Posuňte výkon PCIe 5.0 na maximum. 9100 PRO dosahuje vysoké sekvenční rychlosti čtení/zápisu až 14 700/13 300 MB/s, tedy dvakrát rychleji než 990 PRO. Překročte limity Gen4 s rychlostí náhodného čtení/zápisu až 2 200 K/2 600 K IOPS, což je možné pouze s Gen5.

Posuňte hranice své produktivity. Úchvatné rychlosti náhodného čtení/zápisu umožňují rychlé paralelní zpracování bezpočtu fragmentovaných dat – až 2 200 K/2 600 K IOPS. Zažijte výstup a okamžité načítání – pro velké hry, úkoly náročné na výkon a dokonce i aplikace AI.

Inteligence definuje výkon. Příležitosti pro práci i zábavu – s integrovaným AI PC a generováním obsahu AI. Poháněno bleskovou rychlostí náhodného čtení/zápisu 9100 PRO až 2 200 K/2 600 K IOPS. Rychlé načítání, plynulá hra, bezproblémový výkon.

Užijte si herní svobodu. Připojte chladič 9100 PRO ke svému PC, notebooku nebo herní konzoli, jako je Playstation 5, a zažijte novou dimenzi nejnovějších rozhraní PCIe 5.0 ve svém hraní. Získejte sílu, abyste porazili své protivníky a zůstaňte na vrcholu – vyberte si arénu a zařízení.

Vysoký výkon bez přerušení. Pokročilá architektura napájení 5nm řadiče zlepšuje energetickou účinnost až o 49 % oproti 990 PRO. Díky působivému tepelnému managementu můžete zůstat v proudu – protože náročné programy lze spouštět s maximálním možným výkonem PCIe 5.0.

Chladič 9100 PRO zaujme ultra tenkým 8,8 mm pouzdrem. Je kompatibilní s herními konzolemi, PC a notebooky a splňuje specifikace PCI-SIG D8. Profitujte z designu a efektivního výkonu – kompaktní provedení M.2 vám pomůže překonat prostorová omezení a možná realizovat váš dosud nejpůsobivější vysoce výkonný systém.

Specifikace

Vlastnostni
Použití	PC pro uživatele, herní konzole
Kapacita	1 000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (kvůli formátování, dělení disku, operačnímu systému, aplikacím atd.)
Formát	M.2 (2280)
Rozhraní	PCIe 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Rozměry (Š × V × H)	Max. 80,15 × Max. 25 × Max. 8,88 mm (s chladičem)
Hmotnost	Max. 30,0 g
Paměť pro ukládání dat	Samsung V-NAND TLC
Řadič	Samsung in-house Controller
Cache paměť	Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM
Speciální funkce
Podpora TRIM	Ano
Podpora S.M.A.R.T.	Ano
Garbage Collection (GC)	Automatický algoritmus Garbage Collection
Podpora šifrování	AES 256bit šifrování (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)
Podpora WWN	Ne
Podpora režimu spánku zařízení	Ano
Výkon
Sekvenční čtení	Až 14 700 MB/s Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Sekvenční zápis	Až 13 300 MB/s Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Náhodné čtení	Až 1 850 000 IOPS Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Náhodný zápis	Až 2 600 000 IOPS Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Provozní podmínky
Průměrná spotřeba energie (úroveň systému)	Průměr: čtení 7,6 W / zápis 7,2 W * Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Spotřeba energie v klidu	Typicky 4 mW Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Spotřeba energie (režim spánku zařízení)	Typicky 3,3 mW Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Přípustné napětí	3,3 V ± 5 % přípustného napětí
Spolehlivost (MTBF)	1,5 milionu hodin
Provozní teplota	0 - 70 °C
Odolnost proti otřesům	1 500 G & 0,5 ms (půlsinusový ráz)
Software
Software pro správu	Magician Software pro správu SSD