Samsung SSD 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD - 4 TB

Samsung 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD – 4 TB

Posuňte výkon PCIe 5.0 na maximum. 9100 PRO dosahuje vysoké sekvenční rychlosti čtení/zápisu až 14 800/13 400 MB/s, tedy dvakrát rychleji než 990 PRO. Překročte limity Gen4 s rychlostí náhodného čtení/zápisu až 2 200 K/2 600 K IOPS, což je možné pouze s Gen5.

Posuňte hranice své produktivity. Úchvatné rychlosti náhodného čtení/zápisu umožňují rychlé paralelní zpracování bezpočtu fragmentovaných dat – až 2 200 K/2 600 K IOPS. Zažijte výstup a okamžité načítání – pro velké hry, úkoly náročné na výkon a dokonce i aplikace AI.

Inteligence definuje výkon. Příležitosti pro práci i zábavu – s integrovaným AI PC a generováním obsahu AI. Poháněno bleskovou rychlostí náhodného čtení/zápisu 9100 PRO až 2 200 K/2 600 K IOPS. Rychlé načítání, plynulá hra, bezproblémový výkon.

Zvládněte snadno editaci videa, 3D design a dokonce i dlouhé streamovací relace – díky rozhraním PCIe 5.0. Zažijte moderní výkon. Kdykoli, kdekoli a na mnoha zařízeních. Vyberte si úložiště, které potřebujete – s kapacitou až 8 TB.

Vysoký výkon bez přerušení. Pokročilá architektura napájení 5nm řadiče zlepšuje energetickou účinnost až o 49 % oproti 990 PRO. Díky působivému tepelnému managementu můžete zůstat v proudu – protože náročné programy lze spouštět s maximálním možným výkonem PCIe 5.0.

Nechte svůj SSD pracovat jako kouzlo. Optimalizační nástroje softwaru Samsung Magician zajišťují optimální výkon SSD. To vám umožní bezpečně a snadno migrovat všechna vaše data na upgrade Samsung SSD. Chraňte cenná data, sledujte stav disku a získejte nejnovější aktualizace firmwaru.

Specifikace

Vlastnosti
Použití	PC pro uživatele, herní konzole
Kapacita	4 000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (kvůli formátování, dělení disku, operačnímu systému, aplikacím atd.)
Formát	M.2 (2280)
Rozhraní	PCIe 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Rozměry (Š × V × H)	Max. 80,15 × Max. 22,15 × Max. 2,38 mm
Hmotnost	Max. 9,0 g
Paměť pro ukládání dat	Samsung V-NAND TLC
Řadič	Samsung in-house Controller
Cache paměť	Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM
Speciální funkce
Podpora TRIM	Ano
Podpora S.M.A.R.T.	Ano
Garbage Collection (GC)	Automatický algoritmus Garbage Collection
Podpora šifrování	AES 256bit šifrování (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)
Podpora WWN	Ne
Podpora režimu spánku zařízení	Ano
Výkon
Sekvenční čtení	Až 14 800 MB/s Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Sekvenční zápis	Až 13 400 MB/s Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Náhodné čtení	Až 1 850 000 IOPS Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Náhodný zápis	Až 2 600 000 IOPS Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Provozní podmínky
Průměrná spotřeba energie (úroveň systému)	Průměr: čtení 9 W / zápis 8,2 W * Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Spotřeba energie v klidu	Typicky 6,5 mW * Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Spotřeba energie (režim spánku zařízení)	Typicky 5,7 mW * Skutečná spotřeba se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Přípustné napětí	3,3 V ± 5 % přípustného napětí
Spolehlivost (MTBF)	1,5 milionu hodin
Provozní teplota	0 - 70 °C
Odolnost proti otřesům	1 500 G & 0,5 ms (půlsinusový ráz)
Software
Software pro správu	Magician Software pro správu SSD