Samsung SSD 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD - 8 TB

Samsung 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD – 8 TB

Posuňte výkon PCIe 5.0 na maximum. 9100 PRO dosahuje vysoké sekvenční rychlosti čtení/zápisu až 14 800/13 400 MB/s, tedy dvakrát rychleji než 990 PRO. Překročte limity Gen4 s rychlostí náhodného čtení/zápisu až 2 200 K/2 600 K IOPS, což je možné pouze s Gen5.

Posuňte hranice své produktivity. Úchvatné rychlosti náhodného čtení/zápisu umožňují rychlé paralelní zpracování bezpočtu fragmentovaných dat – až 2 200 K/2 600 K IOPS. Zažijte výstup a okamžité načítání – pro velké hry, úkoly náročné na výkon a dokonce i aplikace AI.

Inteligence definuje výkon. Příležitosti pro práci i zábavu – s integrovaným AI PC a generováním obsahu AI. Poháněno bleskovou rychlostí náhodného čtení/zápisu 9100 PRO až 2 200 K/2 600 K IOPS. Rychlé načítání, plynulá hra, bezproblémový výkon.

Zvládněte snadno editaci videa, 3D design a dokonce i dlouhé streamovací relace – díky rozhraním PCIe 5.0. Zažijte moderní výkon. Kdykoli, kdekoli a na mnoha zařízeních. Vyberte si úložiště, které potřebujete – s kapacitou až 8 TB.

Vysoký výkon bez přerušení. Pokročilá architektura napájení 5nm řadiče zlepšuje energetickou účinnost až o 49 % oproti 990 PRO. Díky působivému tepelnému managementu můžete zůstat v proudu – protože náročné programy lze spouštět s maximálním možným výkonem PCIe 5.0.

Nechte svůj SSD pracovat jako kouzlo. Optimalizační nástroje softwaru Samsung Magician zajišťují optimální výkon SSD. To vám umožní bezpečně a snadno migrovat všechna vaše data na upgrade Samsung SSD. Chraňte cenná data, sledujte stav disku a získejte nejnovější aktualizace firmwaru.

Specifikace

Obecná funkce
Aplikace	Klientské počítače, herní konzole
Kapacita	8 000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (kvůli formátování, rozdělení, operačnímu systému, aplikacím nebo jiným aspektům)
Provedení	M.2 (2280)
Rozhraní	PCIe 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Rozměry (Š × V × H)	Max. 80,15 × Max. 22,15 × Max. 3,88 mm
Hmotnost	Max. hmotnost 9,5 g
Úložná paměť	Samsung V-NAND TLC
Řadič	Interní řadič Samsung
Vyrovnávací paměť	Samsung 8GB DDR4X SDRAM s nízkou spotřebou
Speciální funkce
Podpora TRIM	Podporovaný
Podpora S.M.A.R.T	Podporovaný
GC (uvolňování paměti)	Algoritmus automatického uvolňování paměti
Podpora šifrování	256bitové šifrování AES (třída 0)TCG/Opal IEEE1667 (šifrovaný disk)
Podpora WWN	Není podporováno
Podpora režimu spánku zařízení	Ano
Představení
Sekvenční čtení	Až 14 800 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Sekvenční zápis	Až 13 400 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Náhodné čtení	Až 2 200 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci.
Náhodný zápis	Až 2 600 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Spotřeba a provozní prostředí
Průměrná spotřeba energie	Průměrná: čtení 10,5 W / zápis 8,8 W* Skutečná spotřeba energie se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Spotřeba energie (nečinný)	Typicky 9,3 mW * Skutečná spotřeba energie se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Spotřeba energie (režim spánku zařízení)	Typický 8,6 mW * Skutečná spotřeba energie se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci
Přípustné napětí	3,3 V ± 5 % přípustné napětí
Spolehlivost (MTBF)	Spolehlivost 1,5 milionu hodin (MTBF)
Provozní teplota	0 - 70 °C Provozní teplota
Šok	1 500 G & 0,5 ms (poloviční sinusoida)
Příslušenství
Instalační sada	Není k dispozici
Software
Management SW	Software Magician pro správu SSD
Záruka
Záruka	5letá omezená záruka nebo omezená záruka 4 800 TBW